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SK海力士公司于8月9日宣布，已经成功发布了321层4D NAND样品，成为全球首家正在研发300层以上NAND闪存的公司。该公司计划在2025年上半年开始量产这种321层NAND闪存。 据介绍，这款321层1Tb TLC NAND的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这主要得益于数据存储单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，从而在相同芯片上实现更大的存储容量，进一步提高了单位晶圆上芯片的产出数量。 此外，SK海力士还推出了针对这些需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案，包括采用PCIe 5 (Gen5)接口的企业级固态硬盘 (Enterprise SSD, eSSD) 及 UFS 4.0。 SK海力士表示，公司正在积极开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品，以便在未来继续引领市场。这一切都是基于公司目前积累的产品技术和不断优化的企业内部解决方案。